北京晶格领域半导体有限公司(以下简称“晶格领域”)于2020年6月成立,是集碳化硅(SiC)衬底研发、生产及销售于一体,北京市及顺义区重点关注的创新型高新技术企业。
晶格领域是目前国内首家以液相法为核心技术生长碳化硅晶体的企业,掌握具有自主知识产权的液相法生长碳化硅晶体技术,相较目前物理气相传输法生长技术(PVT法),能有效提高晶体质量,降低生产成本,并能解决碳化硅衬底p型掺杂难以实现的产业化难题,对于推动宽禁带半导体产业发展具有重要意义。
晶格领域已在中关村顺义园建设了液相法碳化硅衬底制备试验线。在晶体生长方面,目前已成功生长出4-6英寸p型碳化硅晶体,晶体尺寸、晶体质量与厚度均处于国际领先水平。
公司注重人才发展,拥有多种人才发展渠道,励志打造一支技术过硬、业务精湛的专业技术团队,发展成为国内一流、行业领先的前瞻性创新企业,促进第三代半导体产业发展。
行业背景:
碳化硅作为宽禁带半导体代表材料之一,其大禁带宽度、高临界击穿场强等性质,使其成为制造高频、大功率、抗辐照及光电集成器件的理想材料,已广泛应用于新能源汽车、5G通信、航空航天、轨道交通等众多领域,并已被列入国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要,是未来高新技术产业的桥头堡。
碳化硅产业链主要包括“衬底-外延-器件-封装-应用”等环节,晶格领域处于碳化硅半导体产业链的最前端--衬底材料的制备,是高端芯片产业发展的基础和关键。目前国内碳化硅衬底制备企业均采用的是物理气相传输法(PVT法)技术,晶格领域采用的物理液相法生长技术相比于PVT法,具有生长的晶体质量高、缺陷少、成品率高等优势,同时采用液相法可以获得高掺杂浓度、低电阻的P型SiC衬底晶片,可填补P型衬底空白。
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2025.6.6