江苏芯德半导体科技有限公司（简称芯德科技）成立于2020年9月，是一家成长于南京本地致力于中高端封装测试的集成电路企业。目前可为客户提供Bumping、WLCSP、Flip Chip PKG、QFN、BGA、SIP、SIP-LGA、2.5D的封装产品设计和服务。公司秉持和睦大家庭式的文化，坚持以人为本、科技创新、集体奋斗和职业化管理的企业核心价值观，并以全心全意满足客户的需求为我们最大的追求，依靠持续创新和锲而不舍的艰苦奋斗的精神发展先进的封测核心技术，使芯德科技成为世界一流的封测企业，服务并推动全球半导体产业的发展。2023年3月，芯德科技先进封装技术研究院推出CAPiC平台，重点发展以Chiplet异质集成为核心的封装技术，是先进封装技术发展的又一突破，有望推动异质整合成为未来芯片设计的主流。
2023年3月10日，芯德科技“CAPiC晶粒及先进封装技术平台发布会”于南京市浦口区智慧谷会议厅隆重举行。
发布会以“芯势力，芯平台”为主题，面向全球集中发布了研究院最新一轮的创新成果。
CAPiC晶粒及先进封装技术平台的创新成果主要包括六大核心封装技术，高密度重布线扇出结构（FOCT-R）、高密度硅通孔扇出结构（FOCT-S）、重布线及硅基埋入基板扇出结构 （SETiS/RETiS）、叠层芯片扇出结构（TMV-POP）、玻璃基扇出结构（TGV-POP）、树脂/干膜扇出结构（eWLB-F/eWLB-M）。此次发布集中体现了芯德科技先进封装技术研究院的强大技术实力和创新能力。
近年来芯德科技研究院团队围绕Chiplet相关技术进行重点开发，力争为客户提供更多更优的先进封装技术解决方案，特别是可以通过高密度的晶圆级RDL集成来降低基板的设计层数，甚至可达到替代基板的作用。
Chiplet，称为芯粒或小芯片，可将其理解为硅片级别的“解构-重构-复用”，通过将原来集成于同一系统单晶片中的各个元件分拆，独立为多个具特定功能的Chiplet，分开制造后再通过先进封装技术将彼此互联，最终集成封装为一系统晶片组。该技术能够帮助有效延伸摩尔定律发展，并集成不同工艺功能芯片，对于芯片设计公司来说，具有开发周期短、整体项目开发成本低等优点。
这次发布会由芯德科技董事长张国栋、芯德科技先进封装技术研究院院长胡川博士和技术副总张中分别进行介绍，同时芯德科技总经理潘明东、先进封装分公司总经理龙欣江、集成电路分公司总经理刘怡和董秘方亚萍等公司高级管理人员出席发布会。
出席此次活动的嘉宾有：浦口区政府副区长、经济开发区管委会主任童金洲先生、新潮集团董事长王新潮先生、芯德科技先进封装技术研究院院长胡川博士、芯德科技先进封装研究院特聘专家上海交通大学李明博士、芯德科技先进封装研究院特聘专家南方科技大学郭跃进博士等。
芯德科技技术副总张中对CAPiC晶粒及先进封装技术平台的六大封装技术进行详尽介绍：
1）FOCT-R （FANOUT Connected Tech-RDL）,主要应用在数据中心,服务器CPU，推算AI, IOT芯片，实现了同质，异质芯片间的互连，可以整合两种具有不同特点的基板：高层数的基板，更精密的再布线转接板（RDL Interposer），可以进一步实现更大的2.5D封装，并降低基板层数。使用再布线和凸块技术，实现最小2μm的线宽，2um间距的布线。同时，芯德科技推出单芯片HPFO 技术，采用Interposer 来有效降低基板的制造层数。
2）FOCT-S (Fanout Connected Tech- S),专用于需要高性能和大面积封装技术的高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、数据中心和网络产品等领域，使用硅转接板（Si Interposer），可以实现更高精度（<1um 线宽和间距）的再布线层，实现更高密度的连接，提供更高性能，充分发挥2.5D封装的优势和特点eWLB-M,主要应用于中、大颗芯片的扇出型封装,封装尺寸能够在8x8~15x15mm 左右，使用再布线和凸块技术，可以直接连接芯片与芯片，减少厚度，减少连接损耗，降低成本，高性价比，可应用于毫米波，射频和无线芯片的封装，处理器和基带芯片封装；
3）SETiS/RETiS （Silicon Embeded Tech in Substrate/ RDL Embeded Tech in Substrate）, 嵌入式多芯片互连桥接，可以实现异质和同质芯片的互联，成本更低，实现包括CPU、图形卡、内存、IO及其它多个芯片间的通信，通过将再布线层转接板（RDL Interposer）嵌入到基板中可以实现在不增加封装厚度的前提下，提高芯片间的通信效率，降低损耗，降低基板设计难度和层数。
4）TMV-POP,主要应用在高算力的封装，通过将再布线转接板将同质或者异质芯片进行互联后并通过高铜柱和塑封料的将互联部分引入封装体的背面并进行引出凸点，进行再次与另一封装体进行互联，在不增加封装平面尺寸的前提下，实现封装体与封装体的互联，提供性能，并充分发挥不同封装体的优势。
5）TGV-POP,主要应用在射频类的芯片封装，具有高密度、低翘曲（CTE match）、高可靠性、低损耗因子、低芯片偏移、低翘曲等优点，该封装利用玻璃绝缘体材料，使得衬底损耗和寄生效应大大减小，保证了传输信号的完整性，在玻璃上进行再布线，转移凸点并在此基础上，芯片与芯片间的封装互联，充分满足高频信号传输的需求；
6）eWLB-F& eWLB-M,主要应用于小颗芯片的扇出型封装,封装尺寸能够在0.6x0.6~15X15mm 左右，使用精细化的ABF膜 以及晶圆级的模封方案，再布线和凸块技术，将芯片进行最高效的封装和保护，也可以多颗芯片互联，实现最小封装尺寸，降低成本，高性价比，可用于模拟芯片，音频播放，电压保护的等芯片，该方案可以有效取代部分的基板制造需求，实现从FCCSP 到 FANOUT-CSP的转化。
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2025.6.9
