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日本NISSHIN日新 微电网 RS-G200M

日本NISSHIN日新 微电网 RS-G200M

货号: RS-G200M
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简介

孔径:3~6微米(混合孔径),孔径:70%或更大。它是多种耐磁性微电网膜的产物。碳微电网:碳膜厚度:60~80nm金微电极:金膜厚度:40~60nm反渗透类型:这是一种对有机溶剂具有抗性的微电网。RT类型:这是一种耐热微电网。RA类型:这是一种抗酸碱的微电网。RS类型:是一种具…

产品详情

孔径:3~6微米(混合孔径),孔径:70%或更大。它是多种耐磁性微电网膜的产物。

碳微电网:碳膜厚度:60~80nm

金微电极:金膜厚度:40~60nm

反渗透类型:这是一种对有机溶剂具有抗性的微电网。

RT类型:这是一种耐热微电网。

RA类型:这是一种抗酸碱的微电网。

RS类型:是一种具有普遍电阻的微电网。


日本NISSHIN日新 微电网 FD-C10
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日本NISSHIN日新 微电网 RA-P150M
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