电子计测·仪器仪表 HORIBA堀场 HORIBA堀场光发射光谱蚀刻终点监测仪EV-140C

HORIBA堀场光发射光谱蚀刻终点监测仪EV-140C

EV-140C

货号: EV-140C

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发射分析型终点监测仪用于等离子体半导体薄膜工艺中的终点检测或等离子体条件控制。新开发的 Rapture Intensity 算法通过捕捉微弱的信号变化来实现终点检测。捕捉细微发射变化的能力显著提高了灵敏度。增强的抗干扰度确保了在恶劣环境下全天候生产线的高度稳定运行。

分类: 电子计测·仪器仪表, HORIBA堀场,

产品详情

光学单元
波长范围	200 - 800 纳米
光学分辨率	<2.0 nm @ =200 - 500 nm <2.5 nm @ =500 - 700 nm （FWHM 理论分辨率）
光学设计
设计	像差校正平场凹面光栅
焦距	140 毫米
二阶滤波器	内置
探测器
CCD 型	背照式线性 CCD 图像传感器
像素数	2048 × 64
A/D 分辨率	16 位
积分时间	20 ms - 2.5 s（10 毫秒步长）
规范
光纤输入	光纤
传感器单元尺寸	137 （W） × 156 （H） × 257 （D）毫米 5.4 （W） × 6.1 （H） × 10.1 （D）英寸
传感器单元重量	4.0 千克
连接室编号	1 通道
电源	24 V DC ± 10 %
功耗	12 VA（最大）
工作温度要求	15 - 35 °C
环境温度	0-50 °C （无冷凝）
工作湿度要求	25 °C 时 <80%RH（无冷凝）
前置 LCD 显示屏	运行状态指示灯（Sensor err /Controller err）
冷却风扇	DC 风扇
输入/输出
◎ 用于带测量曲线链接的输出信号
输出端口号	2 通道
输出范围	0 - 5 伏直流
◎ 用于 PIO 远程协议
数字输出	PIO / （DI = 8 位/ DO = 8 位）
PIO 远程协议连接器	Dsub25S （PIO 端口、模拟输出端口）
控制器接口	以太网 × 1 端口

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通信	PIO/RS232C 串行 *LAN 通信设计能力

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标准	CE/FCC认证

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